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8
Freescale Semiconductor
RF Product Device Data
MRF9120LR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 8. Power Gain, Efficiency and IMD versus
Output Power
Figure 9. Power Gain, Efficiency and ACPR
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dB)
100
6
18
0.1
-80
40
Gps
η
750 kHz
14 0VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 1000 mA
12 -20f = 880 MHz
IS-95, Pilot, Sync, Paging
10 -40Traffic Codes 8 through 13
16 20
8 -60
10
1
1.98 MHz
100
6
18
1
-60
60
14
40
12
20
10
0
-20
8
-40
10
Gps
η
IMD
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 1000 mA
f1 = 880.0 MHz
f2 = 880.1 MHz
16
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